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半导体量子点蕴含着丰富的激子复合体体系，包括能发射反聚束单光子的中性激子，以及通过级联辐射产生超聚束光子的带电激子复合体。若能实现单个发射体同时输出这两种发光模式，将为新型量子协议（如先进量子成像）开辟路径。然而实际上，带电激子复合体的发光强度存在固有劣势——其亮度通常比中性激子低数个数量级，这使得双模式同步运行难以实现。本研究中，该团队通过将量子点嵌入介电米氏共振超表面，成功突破这一限制：该结构使单个砷化镓量子点的中性与带电激子跃迁通道均获得数量级的光致发光增强。在相同非共振泵浦条件下，中性激子发射呈现反聚束特性（二阶关联函数g^(2)(0) < 0.5），而带正电激子复合体则展现超聚束发射（g^(2)(0) > 3.5），两者计数率相当（约12千赫兹）。关键发现是：超聚束效应仅当带电激子发射光谱与米氏共振峰重叠时出现，而在未图案化的平板结构中完全消失，证明光子工程对于操控这类微弱量子光态至关重要。该成果为开发利用固态发射体完整激子结构提供了兼具可扩展性与位置容错性的平台。