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该研究团队采用与超导量子比特同基板制备的微波动态电感探测器（MKIDs），以1微秒的时间分辨率测量了电离辐射对超导量子比特的影响。实验发现：双层系统（TLS）涨落事件与MKIDs探测到的电离辐射事件之间不存在相关性，这表明TLS涨落事件可能并非源于电离辐射，先前报道的表观相关性或许来自能量不足以触发MKIDs探测的事件。研究人员对传输子量子比特在辐射事件后的快速系统恢复特性进行了表征，观察到增强的量子比特弛豫与激发恢复过程可通过准粒子密度指数回归基线的模型很好描述——其特征时间为13±1微秒，结区每沉积1MeV能量产生的峰值准粒子密度为240/μm³/MeV。这种快速恢复特性与文献报道的基于铌器件直接注入2ΔAl声子时的数值相符，证明恢复过程强烈依赖于结区与铌材料的邻近程度。