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该研究团队通过理论计算、仿真模拟与实验测量相结合的严谨分析方法，定量揭示了二维硒化镓（Ga2Se2）材料中应变与带隙的关联规律。实验方面，研究人员将超薄Ga2Se2薄片转移到图案化基底上，通过可控方式诱导多轴局部应变；结合原子力显微镜测量与COMSOL Multiphysics仿真技术定量表征局部应变分布；并采用高分辨超光谱光致发光成像技术绘制应变诱导带隙偏移图谱，构建了具有统计显著性的可靠数据集。 通过系统拟合实验数据，该工作提取出描述带隙偏移与单轴/双轴应变关系的应变因子。密度泛函理论计算获得的单轴与双轴应变因子与实验测定值高度吻合（误差<10%）。研究还证明，基于局部单轴/双轴应变的简易带隙偏移模型可准确预测多轴应变下的带隙变化。这些系统性成果为通过可控应变实现Ga2Se2定制化带隙分布提供了理论框架，对量子光子学应用中局域化量子发射器的研发具有重要指导意义。