X射线内壳层激发中光电子与发射X射线光子间纠缠的激发核心能级依赖性

该研究团队通过理论计算研究了光电子自旋与发射X射线光子偏振态之间的量子纠缠关系对激发核能级的依赖性。分别针对Ti2O3型体系(采用3d→2p和3d→3p自旋-偏振分辨X射线光电子符合谱技术)和CeF3型体系(采用4f→4d自旋-偏振分辨X射线光电子符合谱技术)展开研究。在Ti2O3体系计算中,研究人员采用包含Ti离子全多重态结构及Ti 3d-配体O 2p轨道间电荷转移效应的TiO6团簇模型;对CeF3体系则采用包含Ce离子全多重态结构的离子模型。 研究发现3d→2p与4f→4d过程存在两种截然不同的纠缠产生机制:前者源于2p核电子自旋-轨道耦合作用,后者则由4f价电子自旋-轨道耦合及4f-4d电子间强交换相互作用共同导致。然而在具有强3d-3p交换作用的3d→3p过程中,晶体场效应会抑制纠缠产生。这些结果揭示了X射线内壳层激发过程中存在两种本质不同的量子纠缠产生机制。

作者所在地: VIP可见
作者单位: VIP可见
提交arXiv: 2025-11-26 13:19

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