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六方氮化硼（hBN）中带负电荷的硼空位（VB-）因其在二维量子传感领域提供了与目标样品零距离接触的全新平台而受到广泛研究。然而，该缺陷体系的实际灵敏度受限于自旋系综固有的微弱光致发光。该研究团队发现，hBN悬空区域的VB-中心光致发光强度较衬底支撑区域增强达30倍，同时关键自旋特性（如光探测磁共振对比度、谱线宽度及自旋寿命）仍保持良好。通过零场光探测磁共振、拉曼光谱和开尔文探针力显微镜等系统表征，研究人员揭示了发光增强与样品局部形变之间的关联机制。研究表明，悬空区域相较于支撑区域具有更强的局部形变，这种对称性破缺激活了VB-中心原本禁戒或微弱的光学跃迁通道。