一维拓扑系统中的耗散诱导半量子化电导
二维拓扑相的最显著特征是受拓扑保护的边缘态所呈现的量子化电导。然而,一维拓扑系统中的边缘态无法通过绝缘体传输电流,导致其拓扑特性在输运过程中不可见。该工作研究了含增益损耗的Su-Schrieffer-Heeger模型的输运特性,发现零能电导在拓扑平庸与非平庸相中表现出定性差异,这种差异取决于态杂化和耗散强度。关键的是,研究人员通过解析证明:在拓扑非平庸相中电导可实现半量子化,而平庸相则无此特征。该研究进一步揭示这种半量子化现象主要源自包含增益/损耗与边缘态的输运通道。这些发现揭示了一维拓扑系统中实现量子化输运的新机制,并凸显了耗散在开放量子系统拓扑特征呈现中的重要作用。
