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电路设计的改进以及近年来材料和表面清洁技术的进步，推动了超导量子比特的快速发展。然而，约瑟夫森结（JJs）阴影蒸镀工艺中常用的有机抗蚀剂存在残余污染、热稳定性差以及与典型表面清洁条件不兼容等局限性。为此，该研究团队开发了一种用于约瑟夫森结制备的无机二氧化硅/氮化硅（SiO₂/Si₃N₄）芯片级模板光刻掩模。这种模板掩模能耐受强效清洁剂，并可在高达1200°C的温度下保持稳定，为约瑟夫森结材料探索和界面优化开辟了新途径。为验证该技术，研究人员采用氢氟酸蒸气选择性刻蚀二氧化硅层的方法，先后完成了铝基传输子量子比特的阴影蒸镀和模板掩模剥离工艺。测试数据显示，第一个器件在多次降温测试中于200MHz频率范围内实现了平均T₁≈75±11微秒的相干时间，第二个器件则达到T₁≈44±8微秒。这些结果证实了模板光刻技术与前沿超导量子器件的兼容性，也为材料工程、薄膜沉积和表面清洁技术的进一步研究提供了新思路。