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电离辐射的影响会在超导量子比特中产生准粒子密度的爆发。这些爆发会长时间严重降低量子比特的相干性，并对量子纠错产生不利影响。该工作通过连续监测量子比特跃迁，实验性地解析了三维能隙工程transmon量子比特中的准粒子爆发。能隙工程使研究团队将爆发检测率降低了几倍。然而，这种适度的降低与准粒子快速热化至低温恒温器温度的预期降低相比，仍相差几个数量级。研究人员将能隙工程的有限效果归因于爆发后芯片中声子的缓慢热化过程。