科学家利用一种量子机制揭示了高能电子如何对硅芯片内部造成损害
美国加州大学圣塔芭芭拉分校的研究人员揭示了一种量子机制,可用于解释高能电子在微电子器件内部如何破坏化学键,从而导致器件性能随时间逐步下降。相关研究成果已于日前发表在《物理评论B辑》期刊,它不仅解释了持续数十年的实验谜题,也推动了设计更可靠器件的研究进展。
美国加州大学圣塔芭芭拉分校的研究人员揭示了一种量子机制,可用于解释高能电子在微电子器件内部如何破坏化学键,从而导致器件性能随时间逐步下降。相关研究成果已于日前发表在《物理评论B辑》期刊,它不仅解释了持续数十年的实验谜题,也推动了设计更可靠器件的研究进展。