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芬兰科学家利用分子束外延技术和低温扫描隧道显微镜成功制备出二维拓扑材料

芬兰于韦斯屈莱大学与阿尔托大学的研究人员最近成功制备出一种二维拓扑材料，这是在二硒化铌（NbSe₂）基底上生长的原子级薄的双层碲化锡（SnTe）薄膜。团队利用分子束外延技术结合低温扫描隧道显微镜，对该体系的电子特性进行了原子尺度表征。在这种二维材料中，他们观测到了成对的导电边缘态，并由晶格对称性所保护，这是拓扑晶体绝缘体的典型特征。该成果为探索可通过应变调控的二维拓扑态提供了全新实验平台，也为自旋电子学和纳米器件的发展开辟了新的方向。相关研究成果已于日前发表在《自然通讯》期刊。

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参考链接 内容分类 自旋电子 扫描隧道显微镜 二维系统 分子束外延 自旋电子学

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