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EPFL科学家首次发现移除衬底的铜杂质可提升氮化硅光子集成电路的性能

瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）的一个研究团队在集成光子学领域取得重要进展。他们首次发现，来自CMOS级硅衬底的铜杂质是超低损耗氮化硅（Si₃N₄）光子集成电路中残留热吸收的主要原因。通过解决这个问题，研究团队成功实现了Si₃N₄光子芯片中孤子微梳的确定性和可重复生成。这项成果为高性能光子集成器件的稳定运行提供了关键技术支持。相关研究成果已于日前发表在《自然》期刊。

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参考链接 内容分类 衬底 孤子 光子集成电路 氮化硅 CMOS

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