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奥地利维也纳工业大学的研究人员首次成功采用一种全新方法制造了硅锗（SiGe）晶体管。该方法不仅有助于未来实现更小尺寸的器件，还能提高速度、降低能耗，并在极低温下正常工作，这对量子芯片尤为重要。据悉，该技术由维也纳工业大学、奥地利林茨大学和德国弗莱贝格工业大学联合开发。研究成果现已于日前发表在《IEEE 电子器件快报》上。