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新加坡国立大学（NUS）及其国际合作伙伴通过扭转角工程与近邻屏蔽技术，为石墨烯创造了新的迁移率纪录，刷新了当前最先进石墨烯器件的性能上限。在最近的两项平行研究中，来自NUS和英国曼彻斯特大学的研究人员分别提出了不同策略，最终使石墨烯突破了这一长期存在的瓶颈。研究结果创造了电子迁移率的新纪录，在输运和量子迁移率方面均达到甚至在部分情况下超越了砷化镓（GaAs），并使得在前所未有的条件下观测量子效应成为可能。高迁移率意味着电子可以更快、更自由地运动，这对于构建更高速、更高能效的电子器件至关重要。此外，高迁移率材料还有助于推动先进计算、传感以及量子技术的发展。