京都大学研发出新型单光子源 磁场调控效率得到显著提升
京都大学的一个研究团队最近通过一项新研究证实,单层二硒化钨半导体在引入单个缺陷后,可将激子(电子-空穴对)束缚于缺陷位点并实现单光子发射。该团队通过加热其制备的样品,人为引入少量…
量科快讯
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