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明尼苏达大学双城分校的一个研究团队最近在《先进材料》期刊发表一项新研究成果，发现一种名为Ni₄W（镍钨合金）的低对称性材料能产生强自旋轨道矩（SOT），这是在下一代内存和逻辑技术中操控磁性的关键机制。这是一项他们已获得专利的技术，它能更有效地控制微型电子设备磁化，可使智能手机、数据中心等设备的能耗显著降低，推动电子设备向更智能、更可持续方向发展。