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QuTech的研究人员最近开发出一种能够在锗中创建自旋量子比特的新方法。与传统的硅基半导体自旋量子比特相比，这种新型量子比特在噪声控制和扩展性方面具有显著优势。他们在《自然材料》期刊上发表的一篇论文中介绍了生产这种锗自旋量子比特的新方法，采用锗基底堆叠生长异质锗/硅锗（Ge/SiGe）材料，可以有效改善量子比特的噪声环境，为提升自旋量子比特设备的扩展性、实现更长相干时间奠定基础。