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美国加利福尼亚大学的研究人员最近在《IEEE光波技术期刊》发表一项最新研究成果，成功实现了砷化铟量子点激光器与硅光子学芯片的单片集成。为了达成这一目标，研究团队结合了三项关键技术：单片集成的口袋激光策略、金属有机化学气相沉积与分子束外延（MBE）技术相结合的两步材料生长方法，以及一种聚合物填充技术，用于减少光束在间隙中的发散性。这一技术可应用于各种光子集成电路设计，为开发具有实际应用的可扩展、经济高效的芯片级光源单片集成铺平了道路。