MIT科学家利用超导量子比特阵列模拟带电粒子在合成电磁场中的行为
麻省理工学院林肯实验室的一个研究团队利用超导量子比特成功模拟了带电粒子在合成电磁场中的行为。该团队构建了一个4×4的二维网格状超导量子比特阵列(由16个transom量子比特组成),他们利用量子比特的独立电气控制线路,并用连续信号来改变量子比特的特性。由此产生的量子比特网格行为上模拟了磁矢量势,这是电磁学中影响带电粒子运动的关键。团队可使用合成电磁场来调整这个网格,如果没有磁场,粒子可以自由移动(色散带状态);增加磁场时,粒子会减慢速度并最终卡在网格中(平带状态)。
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