科学家合成出超薄二氧化钒薄膜,量子材料研究有望推动电子设备发展
由大阪大学领导的一个多机构研究团队最近在《应用物理快报》上发表了一篇新研究,他们成功在柔性基底上合成了一种超薄的二氧化钒薄膜,并保持了其电学特性。二氧化钒以其在接近室温下可在导体和绝缘体相间转换的能力而闻名,这种量子材料的相变特性为实时适应环境的智能电子设备奠定了基础。该研究有望推动智能电子设备的进一步发展。
量科快讯
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