科学家开发的新工程方法有望克服在光子芯片中制造片上集成光源的障碍
来自澳大利亚TMOS的研究人员与合作者开发出一种能大规模外延生长高质量多量子阱纳米线的工程方法,这种纳米线由半导体材料砷化铟镓和磷化铟制成。该方法有望克服在光子芯片中制造片上集成光源的障碍,它为大规模光子集成展示了一条有前途的道路。相关研究成果已发表在近日的《光:科学与应用》杂志上。
量科快讯
【日本研究人员在量子流体中首次观测到爱因斯坦–德哈斯效应】日本东京科学研究所的研究人员最近在量子流体中首次观测到爱因斯坦–德哈斯(Einstein–de Haas)效应,实验对象是一种由稀薄的铕原子…
8 分钟前
47 分钟前
1 小时前
22 小时前
23 小时前

