新型离子阱技术可实现高精度测绘芯片表面三维电磁场

瑞士苏黎世联邦理工学院的一个研究团队开发出一种用于芯片近表面电磁场测绘的新方法,它利用单个被俘获离子在芯片上方任意移动,能生成非常精确的三维电场和磁场分布图。该技术基于微型潘宁离…
量科网普通用户

成为注册用户以继续阅读此内容
并享受超多专享功能

注册用户可查看完整快讯内容
搜索全站35000+条内容
还能查看内容相关的额外信息

量科快讯