国际联合研究团队成功证明锗可以在无电阻的状态下导电
澳大利亚昆士兰大学数学与物理学院、澳大利亚生物工程与纳米技术研究所与美国纽约大学的联合研究团队近日取得突破性进展,他们成功证明锗可以在无电阻的状态下导电。研究人员通过采用分子束外延(MBE)技术,将镓原子精确嵌入至锗的晶格结构中,从而取得了这一突破。与传统的离子注入方法相比,该技术能够在原子层面实现更高的掺杂精度与结构控制。据悉,锗长期以来被视为先进半导体技术的重要材料,而这项研究首次展示了其在可控的生长条件下具备超导特性。这一发现不仅拓展了锗在量子材料研究中的潜力,也为开发可扩展、可在晶圆代工环境中实现的量子器件铺平了道路。
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