EPFL科学家首次发现移除衬底的铜杂质可提升氮化硅光子集成电路的性能
瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)的一个研究团队在集成光子学领域取得重要进展。他们首次发现,来自CMOS级硅衬底的铜杂质是超低损耗氮化硅(Si₃N₄)光子集成电路中残留热吸收的主要…
量科快讯
23 小时前
1 天前
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