量子科技中心_量科网

京都大学的一个研究团队最近通过一项新研究证实，单层二硒化钨半导体在引入单个缺陷后，可将激子（电子-空穴对）束缚于缺陷位点并实现单光子发射。该团队通过加热其制备的样品，人为引入少量缺陷并破坏晶体对称性，从而产生了两个分别代表亮激子与暗激子的不同发光峰。随后研究人员在-265°C的低温环境下，施加外部磁场来调控发射行为，并测量发现，即使弱磁场也能显著提升发射强度。通过光子相关测量，该团队还观察到发射的光表现出光子反聚束效应，这表明光子是一一发射的。