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Terra Quantum近日宣布成功制造出全球首个代工级的负电容场效应晶体管（NC-FET）。该突破可能意味着全球人工智能的能源发展路线图将迎来重新编写的必要。这一进展并非依赖于特殊材料或理论构想，而是通过将铁电材料集成到晶体管栅极中，这种与CMOS兼容的方法可在标准硅工艺中提供实用且可扩展的改进。不同于大多数学术研究中的NC-FET技术，该公司的版本采用代工级硅进行构建，使用了成熟的沉积技术和已知铁电材料。与当前最先进的FinFET相比，该设备提高了五到十倍的逻辑吞吐量。