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芝加哥大学普利兹克分子工程学院与宾夕法尼亚州立大学的研究人员对拓扑材料MnBi6Te10的电子特性进行了深入研究。通过使用一种名为时间与角度分辨光电子能谱（trARPES）技术，该团队发现材料晶体的每个重复层（厚度仅为几个原子）电子分布并不均匀。而是在某些区域聚集，其他部分则电子较少，从而在内部形成了微小的内置电场区域。这些微小区域的作用类似于包含内部电场的半导体p-n结（用于构建二极管）。这种新的p-n结对光高度敏感，有望应用在下一代电子器件中。