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由大阪大学领导的一个多机构研究团队最近成功揭示了二氧化硅与碳化硅之间界面处极亮色心的来源。这些特殊的色心是通过氧化碳化硅基底而形成的，其能级由能捕获电子的缺陷（即电子陷阱）所决定。该研究为未来量子设备的制造提供了重要基础，因为许多量子技术依赖于对色心的精确控制。相关研究论文已在《APL Materials》期刊上发表。