量科短讯
芝加哥大学的科学家利用计算机模拟自旋缺陷的形成过程
芝加哥大学普利兹克分子工程学院的研究人员最近进行的一项新研究利用了先进的原子级计算机来模拟预测量子技术中有用的自旋缺陷的形成过程。他们还预测了在碳化硅中产生特定自旋缺陷的必要条件，该研究标志着科学家在建立自旋缺陷制造参数方面迈出了重要一步，而这种自旋缺陷具有推动量子技术进步的潜力。
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芝加哥大学普利兹克分子工程学院的研究人员最近进行的一项新研究利用了先进的原子级计算机来模拟预测量子技术中有用的自旋缺陷的形成过程。他们还预测了在碳化硅中产生特定自旋缺陷的必要条件，该研究标志着科学家在建立自旋缺陷制造参数方面迈出了重要一步，而这种自旋缺陷具有推动量子技术进步的潜力。