量科短讯
东京大学利用飞秒激光首次成功实现超高速控制量子阱磁化强度
东京大学的研究人员利用长度为30fs（飞秒）的脉冲激光照射含有铁磁半导体铟铁砷(In,Fe)As的半导体量子阱结构，首次成功实现在小于皮秒的极短时间内（600fs）瞬间增加了量子阱的磁化强度。这也是世界首次通过操纵电子波函数来超高速控制磁化强度。
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东京大学的研究人员利用长度为30fs（飞秒）的脉冲激光照射含有铁磁半导体铟铁砷(In,Fe)As的半导体量子阱结构，首次成功实现在小于皮秒的极短时间内（600fs）瞬间增加了量子阱的磁化强度。这也是世界首次通过操纵电子波函数来超高速控制磁化强度。