量智信息中心_量科网

研究了当一个静态原子以固定距离\(a\)靠近一个绕其法线刚性旋转的平面物体时，其兰姆位移如何被修正。该团队推导出了一个用表面的角多普勒频移反射系数表示的位移通用公式，适用于任何轴对称的平面材料。将该结果展开至角速度\(Ω\)的二阶项，研究人员识别出两个与电磁角动量的轨道分量和自旋分量相关的独立贡献。正比于\((Ωρ)^2\)的轨道贡献局部地重现了以切向速度\(Ωρ\)平移的表面所诱发的兰姆位移，而正比于\((aΩ)^2\)的自旋贡献则源于光子螺旋度的旋转多普勒频移，并且即使位于旋转轴上仍然存在。该工作首先使用石墨烯片对该形式体系进行了说明，随后将其应用于有限厚度的德鲁德导体和等离子体导体以及掺杂半导体。对于石墨烯和金属表面，旋转会增强卡西米尔-波尔德相互作用，而对于掺杂半导体，则会削弱这种相互作用，具体取决于载流子等离子体频率是否达到近场尺度\(1/a\)。超过某一阈值角速度后，原子能级也会获得一个有限的线宽，这为量子摩擦提供了谱学特征。