量子科技中心_量科网

金刚石中带负电荷的锗空位中心（GeV）是量子计算与量子通信领域极具前景的平台。然而，这些应用要求在纳米光子结构内部精确嵌入具有优良光学性质的GeV中心。该研究通过聚焦离子束注入结合高温退火，展示了在金刚石中高效局域生成GeV中心的方法。研究人员成功在5.5至30纳米的深度范围内实现了GeV中心的制备。低通量注入使得单个GeV中心的生成成为可能。GeV中心的形成产率强烈依赖于注入能量和通量，在35 keV和70 keV能量下产率可达33%。该方法能够在精确限定的微小局部样品体积内高效生成GeV中心，并为将其集成至光子结构提供了潜在途径。