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在铁磁体中，自旋-轨道耦合（SOC）与非平庸能带拓扑结构之间的相互作用，催生了丰富的拓扑输运现象，例如反常霍尔效应（AHE）和拓扑霍尔效应（THE）。现代自旋电子学的一个核心目标，是以可逆方式实现对拓扑输运现象的主动调控，而明确区分 THE 与 AHE 对净霍尔效应的各自贡献，仍然是一项艰巨挑战。该研究将磁离子控制确立为一种强大的范式，用于在具有显著 SOC 和巡游铁磁性的 4d 轨道 SrRuO3 体系中动态调控拓扑输运。通过可控的质子化或氧空位引入，利用能带填充控制实现了费米能级相对抗交叉能带的上移，从而使得 AHE 极性的可调反转温度得以实现。尤为值得注意的是，通过广泛的离子掺杂，可以观察到可逆切换的驼峰状霍尔异常现象，且该现象与 AHE 极性无关，这为信号源自破缺反演对称性而非双通道 AHE 的 THE 提供了证据。该研究结果为贝里曲率工程提供了一种可行的调控手段，使得在强 SOC 铁磁体中可按需控制拓扑输运，从而用于低功耗、可重构的全氧化物自旋电子器件。