合成手性晶格中自旋依赖电子转移的囚禁离子量子模拟

手性结构中的电子传输可表现出自旋不对称性,即手性诱导自旋选择性效应,其微观起源仍是一个悬而未决的问题。尽管手性基团内的路径干涉已被提出作为关键机制,但其实验验证需要系统参数具备精确且多功能的可调性。本研究利用囚禁离子实现了供体-手性桥-受体模型中自旋相关电子转移的可编程量子模拟。桥被编码在离子的内部态中,具有可调的最邻近和次邻近耦合,而供体和受体态则通过一个旁观玻色子运动模式耦合。观测到了桥内的自旋相关干涉,并进一步揭示了供体到受体转移动力学中的自旋依赖性,该依赖性由耦合参数的振幅和相位控制。该团队的结果将自旋相关路径间的干涉确定为自旋相关转移的微观起源,并为利用多能级和玻色子自由度对复杂手性晶格进行量子模拟开辟了道路。

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提交arXiv: 2026-06-11 21:49

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