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微波串扰是制约超导量子器件规模化发展的主要挑战，因为它会引入额外的控制误差。尽管已有研究在各种实验环境中探索了串扰的幅度及其影响，但能够针对特定器件几何结构解释实测串扰的定量物理模型仍然匮乏。本研究通过研究带有跨接结构的平面超导器件中的微波串扰来填补这一空白。研究人员识别出两种可能导致强串扰的结构：一种是驱动线与另一个量子比特距离过近的布线方式，另一种是驱动线通过空气桥跨越量子比特-量子比特耦合器的结构。该团队设计并表征了包含这些结构的器件，同时建立了能够定量解释实验观测串扰的物理模型。基于这些模型，研究人员讨论了降低微波串扰的设计考量。该工作的研究成果为低串扰器件布局提供了实用指导，并为系统研究更弱串扰机制奠定了基础。