该团队引入了一类新的量子通道,即广义多级振幅阻尼(GMAD)通道,用于模拟与热环境耦合的量子比特中的噪声和退相干效应。通过评估功泛函和能容电容来研究GMAD下能量资源的退化,特别关注了能容的相干与非相干贡献,为此该团队引入了新的量化指标。该研究的分析揭示了如何在热环境中最优地制备量子比特以从功提取角度保持其价值,并展现了若干反直觉现象:GMAD通道的能容电容并非随环境温度单调变化;此外,迭代映射可导致不同温度下的能容泛函出现交叉,这表明存在马尔可夫姆潘巴效应。
作者单位:
VIP可见
页数/图表:
登录可见
提交arXiv:
2026-05-26 17:59