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耗散仍然是提升超导量子电路性能的核心障碍，然而，在广泛使用的材料平台中，损耗的微观起源尚未被完全理解。本文报告了在高阻硅衬底上制备的超导量子比特中，由界面压电效应引起的耗散现象的观测结果。该团队的器件采用了一种带有并联电容的transmon量子比特，该电容同时作为嵌入在表面声波谐振器中的叉指换能器。通过将量子比特跃迁频率调谐至与离散机械模式共振，该团队观察到量子比特寿命最多降低至原来的二分之一，这与铝-硅界面处的压电耦合介导的量子比特与机械模式间的能量交换机制一致。该发现为界面压电效应作为超导量子比特中一种独特的损耗通道提供了直接证据。结合多物理场仿真，这些结果表明，在足够高的频率下，界面压电损耗可能超过双能级系统引起的损耗。