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硅基色心正成为量子技术领域颇具前景的平台。其中，G色心因其明亮的电信O波段单光子发射以及可通过光学寻址的亚稳态电子自旋三重态而备受关注。本文研究了在高于带隙激发条件下G色心集合体的自旋特性。我们阐明了产生G色心光探测磁共振（ODMR）响应的自旋光动力学过程，确定了测量G缺陷ODMR光谱的最佳脉冲序列，以及最大化自旋读出对比度的温度和光功率条件。通过磁光测量，我们探测到了G色心电子自旋态的能级反交叉现象。最后，我们实现了对缺陷的相干自旋控制，并表征了其自旋相干特性。揭示G色心的自旋自由度为基于硅色心的量子存储器和量子寄存器实现开辟了新途径。