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六方氮化硼（hBN）中的量子发射器已成为量子技术应用中极具前景的固态平台。然而，该领域持续面临的挑战在于，许多观测到的发射谱线（尤其是可见光范围内的谱线）来源尚不明确，这些谱线往往难以与样品制备及处理过程中由有机或工艺引入的污染所产生的信号区分开来。这种模糊性既限制了发射器生成的可重复性，也阻碍了对真正本征量子缺陷的可靠识别。本研究提出了一套分步评估框架，用以判断电子辐照hBN中的量子发射器是否与样品制备过程中引入的有机污染物相关。该研究采用高光谱成像、热退火和氧等离子体刻蚀技术，探究电子辐照hBN中绿-黄发射器的来源。综合结果不仅排除了有机污染作为发射源的可能性，还揭示了在未经任何预处理或后处理条件下生成的电子辐照hBN中发射器的光谱变异性、热稳定性及垂直分布特征。此外，该研究的实验证明了在厚度低于10 nm的hBN中生成稳定发射器的可行性。这些发现为量子光子器件中基于hBN的单光子发射器的识别与受控实现提供了实用指导。