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携带自旋的单光子发射器工作在电信C波段（1530-1565纳米），是集成自旋-光子界面的首选候选，能与现有光纤基础设施实现无缝兼容，这是未来量子网络的关键组成部分。在此背景下，铒掺杂剂（Er³⁺）因其卓越的发射器特性而特别引人注目，包括窄谱扩散和长自旋相干时间。然而，其低C波段光子发射率以及需要在低温下运行，限制了该技术的实现。 在本工作中，研究人员展示了一种完全集成的单光子发射，该发射来自离子注入的Er³⁺缺陷，嵌入在4H-碳化硅-绝缘体（4H-SiCOI）微环谐振器中，并在室温下工作。通过优化谐振器与Er³⁺缺陷之间的模式重叠，该团队实现了约70倍的Purcell增强，并记录到约54兆赫的窄谱扩散。研究人员进一步通过光子关联g(2)直方图表征Er³⁺单光子发射，并研究其在不同磁场下的性能，展示了单个发射器上的塞曼分裂。