参数驱动式iSWAP门:在零通量甜点处采用电容分流双Transmon耦合器

双传输子耦合器(DTC)可在两个高度失谐、固定频率的传输子量子比特之间实现快速、高保真度的CZ门。此外,近期提出的电容分流型DTC(CSDTC)能在零通量附近较宽的磁通偏置范围内实现极小的残余ZZ相互作用,从而在保持高CZ门保真度的同时,无需静态磁通偏置。然而,基于DTC和CSDTC的CZ门需要大振幅的基带磁通脉冲,这类脉冲易受脉冲畸变以及量子比特-耦合器强杂化导致的退相干影响。为解决这些问题,该工作实验演示了在零磁通偏置下,通过CSDTC耦合的高度失谐、固定频率传输子量子比特之间的参数驱动iSWAP门。该团队使用无需预畸变的简单磁通驱动波形,在112纳秒的总门时间内实现了99.92(2)%的平均门保真度。观测到的高保真度性能与门操作期间较小的量子比特-耦合器杂化及微小的有效ZZ相互作用一致。该工作的数值模拟复现了实验观测到的iSWAP相互作用速率和有效ZZ相互作用,证明了理论模型不仅适用于频谱信息,也适用于门操作等时域动力学。这些成果推动了超导量子计算机研究的进一步发展。
作者单位: VIP可见
提交arXiv: 2026-04-30 10:11

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