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轨道能级分裂是空穴自旋量子点运行中的重要量子点参数。已知这些分裂取决于量子点的横向约束。然而，在改变顶部栅极电压（量子比特应用中的典型控制参数）时，实验测量和有效理论均假设此类能级分裂的变化通常可忽略不计。本研究通过光子辅助隧穿（PAT）和脉冲栅极光谱技术，研究了Ge/SiGe异质结构中双量子点（DQD）的单重态-三重态（ST）分裂（其依赖于轨道分裂）。该团队发现ST分裂对顶部栅极电压存在令人惊讶的强烈依赖性，导致异常的PAT测量结果。该工作将两种测量数据结合到一个模型中，该模型很好地描述了ST分裂的线性栅极电压依赖性。最后，该研究人员展示了当器件重新调整使得两个量子点的ST分裂比率显著不同时，这两个量子点的ST分裂表现出相似的线性栅极电压依赖性。