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施加于双量子点的栅极电压与类哈伯德哈密顿量参数之间的映射关系，对于理解和操控自旋量子比特至关重要。目前测量哈密顿参数的先进技术（如失谐轴脉冲光谱法DAPS）虽能提供能级细节，但对隧道耦合的估计通常仅能揭示完整哈密顿量的一小部分。本工作提出了一种与哈密顿量形式无关的测量技术——δ轴光谱法（DAXS），可在任意失谐值下测量双量子点在宽能量范围内的能谱。研究团队将该方法应用于Si/SiGe双量子点体系，通过获得的能谱数据提取出15能级类哈伯德哈密顿量的对角与非对角耦合项，实验结果与理论预测展现出高度一致性。