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该研究团队提出了一个关于正电子在平面谐波势中沟道辐射的量子力学计算，明确考虑了不同横向能级间跃迁振幅的量子干涉效应。由于金刚石(110)晶面中正电子的沟道势能可精确近似为抛物线势，其横向能级呈现等间距分布（εₙ=ℏΩ(n+1/2)），导致所有n→n-j跃迁均会在相同的多普勒频移频率处产生辐射。在突变近似条件下，正电子进入晶体时形成了具有特定布居振幅cₙ的Glauber相干态。cₙ与偶极矩阵元之间的相位同步确保了所有占据能级对辐射振幅产生相长干涉，使得相干辐射强度I_coh∝|A_j|²相比非相干（Zhevago-Kumakhov）结果获得了12-31倍的增强因子𝒢（对应4-14 GeV正电子在金刚石(110)中的情况）。数值计算结果与Avakyan等人[8]的实验峰位高度吻合。这种增强效应是正电子特有的，因为电子无法实现类似的近谐波沟道势。基于理论预测的峰值强度非线性角度依赖性，该工作提出了验证相干模型的决定性实验方案。这种由量子相干性驱动的辐射强度从N到N²标度律的转变，为核物理与材料科学领域开辟了实现高强度单色γ射线源的新途径。