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固态自旋缺陷是实现量子网络节点的理想量子比特候选。构建更大规模网络的关键挑战在于：如何在纳米光子器件中高效制备缺陷的同时，保持优异的光学与自旋特性。该研究团队通过使用脉冲式带隙上方（紫外）激光，在商用块状生长4H碳化硅制成的纳米柱中成功制备出V₂色心。实验数据显示，紫外激光照射后V₂色心出现率提升达11倍。这些激光诱导的V₂色心表现出与同材料纳米柱中天然V₂色心相当的窄光学线宽和相似光谱扩散速率。此外，研究人员测得在动态解耦条件下的自旋相干时间T₂DD=3.6(3)毫秒，该结果与核自旋浴引起的退相干机制相符。此项工作证实了在广泛使用的块状生长4H-SiC纳米结构中可原位、后加工制备相干V₂色心，展现了带隙上方激光照射技术在集成光子器件中实现可扩展缺陷创制的潜力。