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二维氮化硼（BN）蜂窝晶格的不同堆叠方式可显著改变所得BN晶体的性质。该研究团队通过第一性原理计算证明，与六方氮化硼（hBN）相比，菱方氮化硼（rBN）中带负电的硼空位中心（V_B⁻）的发光亮度至少增强了一个数量级，同时自旋特性保持相当甚至更优。这种增强源于rBN中晶体场对称性的降低。研究结果表明，在rBN中实现V_B⁻的室温单自旋相干控制是可行的，使其可作为单自旋量子传感器应用于这种二维宿主材料。这些发现表明，通过设计BN层的堆叠方式，能够为嵌入量子缺陷的性质调控提供有效手段。