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将固态量子架构扩展至实用级量子计算所需的百万量子比特规模，可能需要将控制电子器件集成在量子层的近邻区域。然而，光刻制造的固态量子比特在远低于1开尔文的温度下才能达到最佳性能，而此时可用制冷功率极为有限；而控制电子器件会耗散大量功率，因此需要更高温度下才能获得的有效制冷能力。为解决这一矛盾，该研究团队提出了一种采用宽带声子分布式布拉格反射镜（DBR）作为低温电子器件与量子比特芯片之间热屏障的封装方案。作为该方案的实验验证，研究人员制备并表征了钽/二氧化硅DBR结构——这种架构中的DBR既能为超导通孔提供机械支撑，又可提供远超常规块体材料的热绝缘性能。在由10层钽/二氧化硅交替构成的600纳米厚DBR中，研究团队测得从1.5开尔文至100毫开尔文温区的热传导率低于1毫瓦/平方厘米。对于厘米尺度的集成架构，这种隔离水平使得邻近电子器件可兼容瓦特级制冷功率，同时通过商用量子稀释制冷机将量子比特温度稳定维持在100毫开尔文附近。