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该研究团队预测并分析了半无限厄米光子波导晶格中边界驱动的异常点现象，这些晶格具有侧耦合缺陷。异常点源于晶格终端处的相干反射，其在缺陷动力学中诱发了强烈的记忆效应。通过精确解析方法，研究人员推导出缺陷的非马尔可夫记忆核函数，揭示了共振轨迹与合并条件——这些特性可通过缺陷位置和耦合强度进行精确调控。该工作为探索厄米光子晶格中具有记忆效应的非厄米物理提供了一个简单且易于实验验证的平台。