量子科技中心_量科网

生长在InP衬底上的高质量InAs量子阱因其大g因子、强Rashba自旋轨道耦合效应以及与原位沉积超导材料的兼容性，成为拓扑量子信息处理的理想平台。该研究团队针对InP(001)晶圆上生长的InAs/InGaAs量子阱，系统研究了层状结构与应变对电子特性及表面形貌的影响。通过结合量子输运测量与原子力显微技术，研究人员发现层状设计主要影响迁移率各向异性，这种特性与表面形貌高度吻合。表面表征进一步揭示了当层厚度超过应变极限时量子阱坍塌的机制。此外，输运测量结果表明量子限域效应对能带非抛物线性具有显著调控作用。