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固体中的高次谐波产生（HHG）源于强激光脉冲驱动下带内加速与电子-空穴复合的相互作用。该研究团队从理论上揭示，驱动脉冲持续时间可通过促进更高导带激发，将HHG光子能量扩展至更高范围。这一效应在常规半导体硅中显著存在，在大带隙绝缘体氧化镁中受限，而在典型手性外尔半金属RhSi中最为突出——该材料具有大量能带交叉点。此外，该工作阐明了RhSi中合成阿秒局域手性光所需的HHG选择定则：其手性晶体结构可产生具有阿秒时间尺度不对称瞬时扭转特性的局域三维电场。当驱动螺旋性与晶体手性同向或反向时，会出现显著的圆二色性。这些发现将推动未来在外尔半金属中追踪高能带交叉和原位局域手性光的实验，为紧凑型手性光源和光波驱动拓扑电子学开辟新途径。