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各向异性二维材料中激子因其依赖于方向的有效质量特性，在激子效应和磁光现象研究中备受关注。当电子与空穴质量相近时，垂直磁场会显著增加激子质心运动与相对运动的分离难度。传统理论通常采用因子化波函数近似处理质心分离，通过修改磁哈密顿项实现，但可能导致磁激子能量预测偏差。本研究建立了各向异性二维磁激子中质心与相对运动严格分离的解析框架，无需依赖静止质心近似。该工作从均匀磁场下的完整电子-空穴哈密顿量出发，利用守恒赝动量推导出相对运动哈密顿量，揭示了近似模型中缺失的、与各向异性相关的新耦合项和磁系数。通过费兰丘克-科马罗夫算子方法和列维-奇维塔变换处理所得薛定谔方程，可获得非微扰、系统性收敛的解。将其应用于独立单层黑磷/三硫化钛及其六方氮化硼封装体系，在宽磁场范围内计算了前十阶态的磁激子能量、抗磁系数及概率密度。结果表明质量各向异性较强的体系中，各向异性相关耦合对磁响应具有重要影响。该理论框架可推广至其他各向异性二维半导体，为前沿磁光学研究奠定基础。